ビームスプリッタ分割または兼ね備えビーム所望透過率と反射率で必要な波長領域、または分割ビームライトにp偏波とs-偏光部品。
基板: 溶融シリカ、BK7
表面図: <λ/10 @ 632.8nm
表面品質: 40-20
面取り: 0.5ミリメートル × 45 °
コーティング材料: 電子ビーム堆積誘電体: マルチ-層
入射: 0 ° 、45 °
レーザー誘発損傷しきい値: >5J/cm2 (1.06μm、1ns)
入射角 | 波長 (Nm) | Tave/レイヴ | 分離 | Tp/rp | 公差 |
Tp/rp | |||||
45 ° | 510-500 | 50/50 | ± 3% | ||
45 ° | 780 | 50/50 | ± 3% | ||
45 ° | 632.8 | 50/50 | ± 3% |
基板溶融: シリカ、BK7
表面図: <λ/10 @ 632.8nm
表面品質: 40-20
偏光: tp≥ 96%; ts≤ 1%
絶滅比: tp: ts> 100:1
波長範囲: 可視、近赤外
波長 (nm) | 波長 (nm) |
20/25。4/30 | 780 |
20/25。4/30 | 1064 |
20/25。4/30 | 1310 |
20/25。4/30 | 1550 |
基板: 溶融シリカ、BK7
表面図: <λ/10 @ 632.8nm
表面品質: 40-20
面取り: 0.5ミリメートル × 45 °
コーティング材料: 電子ビーム堆積誘電体: マルチ-層
入射: 0 ° 、
レーザー誘発損傷しきい値: >5J/cm2 (1.06μm、1ns)
入射角 | Twavelength (Nm) | 伝送 | Rwavelength | 反射率 |
0 ° | 808 | > 90% | 946 | > 99.5% |
0 ° | 808 | > 90% | 1064 | > 99.5% |
0 ° | 808 | > 90% | 1320 | > 99.5% |
0 ° | 940 | > 90% | 1030 | > 99.5% |
基板: 溶融: シリカ、BK7
表面図: <λ/10 @ 632.8nm
表面品質: 40-20
面取り: 0.5ミリメートル × 45 °
コーティング材料: 電子ビーム堆積誘電体: マルチ-層
入射: 0 ° ± 2 °
偏光: tp≥ 98%; ts≤ 0.2%
絶滅比: tp: ts> 500:1
Arコーティング: r <0.25%